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同时，清理在衰减时间和快分量比优化方面取得显著的进步，清理富氧环境下生长的Ce:GGAG晶体表现出较快衰减时间和较高的快组分比(80ns/80%;257ns/20%)，gamma射线(137Cs，662keV)激发下的闪烁光产额可达38, 847pho/[email protected]。其中，规范供电(Ce,Gd)3(Ga,Al)5O12（简作Ce:GGAG）被认为是最有前途新一代X射线CT探测用候选材料之一，规范供电在晶体生长、透明陶瓷制备以及组份调控等方面已经开展了大量研究工作。
现任华中师范大学物理科学与技术学院教授，非电博士生导师。多年来，网直国内外研究学者一直致力于研发高性能的新型闪烁体。
